LND150K1-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.57 EUR |
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Technische Details LND150K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote LND150K1-G nach Preis ab 0.44 EUR bis 0.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 27805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K |
auf Bestellung 14811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| LND150K1-G | Hersteller : Microchip |
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
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LND150K1-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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LND150K1-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion |
Produkt ist nicht verfügbar |