LND150K1-G Microchip Technology
| Anzahl | Preis |
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| 221+ | 0.64 EUR |
| 222+ | 0.63 EUR |
| 250+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.59 EUR |
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Technische Details LND150K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote LND150K1-G nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K |
auf Bestellung 36518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : Microchip |
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 4434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LND150K1-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 4434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |