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LND150N3-G

LND150N3-G Microchip Technology

LND150%20C041114.pdf Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
auf Bestellung 3418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details LND150N3-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
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3000+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depletion
Case: TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 1kΩ
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
85+0.84 EUR
99+0.72 EUR
103+0.7 EUR
105+0.68 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depletion
Case: TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 1kΩ
Kind of package: bulk
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LND150N3-G LND150N3-G Hersteller : MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LND150N3-G LND150N3-G
Produktcode: 60544
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