LND150N3-G Microchip Technology
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Technische Details LND150N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote LND150N3-G nach Preis ab 0.66 EUR bis 1.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
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LND150N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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LND150N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
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,TO-226_straightlead.jpg "LND150N3-G") |
LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 500V 1KOhm |
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LND150N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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,TO-226_straightlead.jpg "LND150N3-G") |
LND150N3-G Produktcode: 60544 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag |
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