
LND150N3-G Microchip Technology
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Technische Details LND150N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 850 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote LND150N3-G nach Preis ab 0.66 EUR bis 0.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
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LND150N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA On-state resistance: 1kΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.03A Case: TO92 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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LND150N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92 Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 30mA On-state resistance: 1kΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.03A Case: TO92 |
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LND150N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
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LND150N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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LND150N3-G Produktcode: 60544
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