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LSIC1MO120E0080


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Produktcode: 138007
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Transistoren > MOSFET N-CH

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LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 Hersteller : IXYS Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide_LSIC1MO120E0080_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
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LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 Hersteller : Littelfuse Inc. lsic1mo120e0080-datasheet?assetguid=9e96c4dc-c34c-40d1-83e3-ac2354122421 Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V
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