Weitere Produktangebote LSIC1MO120E0080 nach Preis ab 22.13 EUR bis 33.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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LSIC1MO120E0080 | Hersteller : IXYS |
 SiC MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET |
auf Bestellung 4159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LSIC1MO120E0080 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 800 V |
auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LSIC1MO120E0080 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120E0080 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised |
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