LSIC1MO120E0120 Littelfuse
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Technische Details LSIC1MO120E0120 Littelfuse
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote LSIC1MO120E0120 nach Preis ab 15.75 EUR bis 27.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : Littelfuse |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V |
auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : IXYS |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LSIC1MO120E0120 Produktcode: 183409 |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 1200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 120 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 60A; 139W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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