LSIC1MO120E0120
Produktcode: 183409
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 1200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1130/63
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote LSIC1MO120E0120 nach Preis ab 18.83 EUR bis 27.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : Littelfuse |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : IXYS |
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet |
auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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LSIC1MO120E0120 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AD Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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