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LSIC1MO120E0120


Carbide_LSI-1307960.pdf
Produktcode: 183409
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Hersteller:
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1200 В
Drain-Strom Idd, A: 18 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 120 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1130/63
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
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LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse media-3322696.pdf MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
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10+25.57 EUR
25+25.3 EUR
50+24.75 EUR
100+23.1 EUR
250+22.82 EUR
450+22.41 EUR
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LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 IXYS media-3322696.pdf MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
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25+27.64 EUR
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LSIC1MO120E0120 LSIC1MO120E0120 Littelfuse Inc. littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0120_datasheet.pdf.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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30+26.48 EUR
120+24.92 EUR
510+22.59 EUR
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: IXYS
MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
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Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1125 pF @ 800 V
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