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LSIC1MO120G0040

LSIC1MO120G0040 LITTELFUSE

littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120g0040_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: LSIC1MO120 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 445 Stücke:
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Technische Details LSIC1MO120G0040 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LSIC1MO120 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
LSIC1MO120G0040 LSIC1MO120G0040 IXYS littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_LSIC1MO120G0040_datasheet.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
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LSIC1MO120G0040 LSIC1MO120G0040 Littelfuse media-3322432.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO
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Hersteller: IXYS
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
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