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Technische Details LSIC1MO120G0040 IXYS
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LSIC1MO120 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote LSIC1MO120G0040 nach Preis ab 38.63 EUR bis 50.72 EUR
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LSIC1MO120G0040 | Hersteller : Littelfuse |
 MOSFET SIC MOSFET 1200V 80MO |
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LSIC1MO120G0040 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - LSIC1MO120G0040 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: LSIC1MO120 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised |
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| LSIC1MO120G0040 | Hersteller : Littelfuse |
1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| LSIC1MO120G0040 | Hersteller : Littelfuse |
1200 V, 40m Ohm N-Channel SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| LSIC1MO120G0040 | Hersteller : LITTELFUSE |
LSIC1MO120G0040 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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LSIC1MO120G0040 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 800 V |
Produkt ist nicht verfügbar |