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LSIC1MO170E1000

LSIC1MO170E1000 Littelfuse


Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide_LSI-1391255.pdf Hersteller: Littelfuse
MOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
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Technische Details LSIC1MO170E1000 Littelfuse

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 54W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 15A, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 450 Stücke.

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LSIC1MO170E1000 Hersteller : LITTELFUSE LSIC1MO170E1000_DS.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000
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LSIC1MO170E1000 Hersteller : LITTELFUSE LSIC1MO170E1000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.5A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
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LSIC1MO170E1000 LSIC1MO170E1000 Hersteller : Littelfuse Inc. LSIC1MO170E1000_DS.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
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LSIC1MO170E1000 Hersteller : LITTELFUSE LSIC1MO170E1000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.5A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
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