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LSIC1MO170E1000

LSIC1MO170E1000 Littelfuse


Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide_LSI-1391255.pdf Hersteller: Littelfuse
MOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
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Technische Details LSIC1MO170E1000 Littelfuse

Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V.

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LSIC1MO170E1000 Hersteller : LITTELFUSE LSIC1MO170E1000_DS.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000
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LSIC1MO170E1000 Hersteller : LITTELFUSE LSIC1MO170E1000_DS.pdf LSIC1MO170E1000 THT N channel transistors
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LSIC1MO170E1000 LSIC1MO170E1000 Hersteller : Littelfuse Inc. LSIC1MO170E1000_DS.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
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