Technische Details LSIC1MO170E1000 Littelfuse
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 54W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 15nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 15A, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 450 Stücke.
Weitere Produktangebote LSIC1MO170E1000 nach Preis ab 28.39 EUR bis 28.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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LSIC1MO170E1000 | Hersteller : LITTELFUSE |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 LSIC1MO170E1000 TLSIC1MO170E1000 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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LSIC1MO170E1000 | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3.5A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 450 Stücke |
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LSIC1MO170E1000 | Hersteller : Littelfuse Inc. | Description: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L |
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LSIC1MO170E1000 | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 15A; 54W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3.5A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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