LVE2560E-M3/P Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 8.13 EUR |
| 10+ | 5.23 EUR |
| 100+ | 4.28 EUR |
| 500+ | 3.91 EUR |
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Technische Details LVE2560E-M3/P Vishay Semiconductors
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 4A GSIB-5S, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: Standard, Supplier Device Package: GSIB-5S, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote LVE2560E-M3/P nach Preis ab 3.99 EUR bis 9.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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LVE2560E-M3/P | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 4A GSIB-5SPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GSIB-5S Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: Standard Supplier Device Package: GSIB-5S Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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