M29DW323DB-70N6E
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Technische Details M29DW323DB-70N6E
Память FLASH, Vcc,В =2.7...3.6, Интерфейс = Параллельный, Об. пам. =32 Мбит, Орг. пам. =4M x 8, 2M x 16, Тдост =70 нс, Тэксп, °С =-40....85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 96 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| M29DW323DB70N6E | Numonyx/Micron |
  Память FLASH, Vcc,В =2.7...3.6, Интерфейс = Параллельный, Об. пам. =32 Мбит, Орг. пам. =4M x 8, 2M x 16, Тдост =70 нс, Тэксп, °С =-40....85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 96 Stücke |
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M29DW323DB70N6E | Micron Technology Inc. |
Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
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| M29DW323DB70N6E |
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Hersteller: Numonyx/Micron
Память FLASH, Vcc,В =2.7...3.6, Интерфейс = Параллельный, Об. пам. =32 Мбит, Орг. пам. =4M x 8, 2M x 16, Тдост =70 нс, Тэксп, °С =-40....85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
Память FLASH, Vcc,В =2.7...3.6, Интерфейс = Параллельный, Об. пам. =32 Мбит, Орг. пам. =4M x 8, 2M x 16, Тдост =70 нс, Тэксп, °С =-40....85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
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| M29DW323DB70N6E |
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Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP
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