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M2P45M12W2-1LA

M2P45M12W2-1LA STMICROELECTRONICS


4555698.pdf Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - M2P45M12W2-1LA - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0605 ohm, ACEPACK DMT
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK DMT
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0605ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details M2P45M12W2-1LA STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - M2P45M12W2-1LA - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0605 ohm, ACEPACK DMT, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: ACEPACK DMT, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0605ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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M2P45M12W2-1LA M2P45M12W2-1LA Hersteller : STMicroelectronics MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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