M2TP80M12W2-2LA STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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Technische Details M2TP80M12W2-2LA STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - M2TP80M12W2-2LA - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.114 ohm, ACEPACK DMT, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: ACEPACK DMT, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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Preis |
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M2TP80M12W2-2LA | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - M2TP80M12W2-2LA - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.114 ohm, ACEPACK DMTtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: ACEPACK DMT Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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