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M2TP80M12W2-2LA STMicroelectronics



Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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Technische Details M2TP80M12W2-2LA STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - M2TP80M12W2-2LA - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.114 ohm, ACEPACK DMT, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK DMT, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
M2TP80M12W2-2LA M2TP80M12W2-2LA STMICROELECTRONICS 4555699.pdf Description: STMICROELECTRONICS - M2TP80M12W2-2LA - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.114 ohm, ACEPACK DMT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK DMT
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
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M2TP80M12W2-2LA 4555699.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - M2TP80M12W2-2LA - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.114 ohm, ACEPACK DMT
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK DMT
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
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