Technische Details M93C46MN6P NSC
Description: IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC, Clock Frequency: 2 MHz, Technology: EEPROM, Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 1Kbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 128 x 8, 64 x 16, Memory Interface: Microwire, Write Cycle Time - Word, Page: 5ms, Supplier Device Package: 8-SOIC, Memory Format: EEPROM.
Weitere Produktangebote M93C46MN6P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| M93C46-MN6P | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
verfügbar 45 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| M93C46-MN6P |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 x 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 45 Stücke:

