Technische Details M93C56BN6 ST
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8.
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M93C56BN6 | Hersteller : ST |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics | Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics |
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