Technische Details M93C56BN6 ST
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 50 Stücke.
Weitere Produktangebote M93C56BN6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| M93C56-BN6 | STMicroelectronics |
 Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 33 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| M93C56-BN6 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 33 Stücke: