M93C56-BN6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 5+ | 1.38 EUR |
| 10+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 1.05 EUR |
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Technische Details M93C56-BN6 STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| M93C56BN6 | Hersteller : ST | 00+ DIP |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| M93C56BN6 | Hersteller : ST |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics |
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