Technische Details M93C56BN6 ST
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8.
Weitere Produktangebote M93C56BN6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics | Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
 |
M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 EEPROM 2K (256x8 or 128x16) |
Produkt ist nicht verfügbar |