Technische Details M93C56BN6 ST
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 50 Stücke.
Weitere Produktangebote M93C56BN6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 33 Stücke: |
||
 |
M93C56-BN6 | Hersteller : STMicroelectronics |
EEPROM 2K (256x8 or 128x16) |
Produkt ist nicht verfügbar |