M93С46-BN6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details M93С46-BN6 STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8.
Weitere Produktangebote M93С46-BN6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
M93С46-BN6 Produktcode: 86421
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IC > IC Speicher |
Produkt ist nicht verfügbar
|