Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote M93С46-BN6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| M93С46-BN6 | STMicroelectronics |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| M93С46-BN6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 4,5...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Кбіт, Орг. пам. = 128 х 8 або 64 х 16, Тдост/Частота = 2 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:

