
MBR10H200CT Taiwan Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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2+ | 1.88 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
100+ | 0.97 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.63 EUR |
5000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details MBR10H200CT Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote MBR10H200CT nach Preis ab 0.71 EUR bis 1.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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MBR10H200CT | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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MBR10H200CT | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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MBR10H200CT | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
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