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MBR20040CT

MBR20040CT DACO Semiconductor

MBR20040CT.pdf Hersteller: DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 40V 100A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
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Technische Details MBR20040CT DACO Semiconductor

Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 40V 100A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBR20040CT Hersteller : HITACHI MBR20040CT.pdf mbr20020ct.pdf MODULE
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Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
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MBR20040CT MBR20040CT Hersteller : GeneSiC Semiconductor mbr20040ct.pdf Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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