MBR20040CTR Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
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Technische Details MBR20040CTR Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MBR20040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MBR20040CTR |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 40V 200A Schottky Recovery
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