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MBRD835LT4G

MBRD835LT4G ON Semiconductor

mbrd835l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MBRD835LT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 75A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 510mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBRD8, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ON Semiconductor mbrd835l-d.pdf Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ON Semiconductor mbrd835l-d.pdf Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ON Semiconductor mbrd835l-d.pdf Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : onsemi mbrd835l-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
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500+0.43 EUR
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 226
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ONSEMI MBRD835LG.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 16A
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
108+0.66 EUR
134+0.53 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 82
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ONSEMI MBRD835LG.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 16A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
82+0.87 EUR
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : onsemi mbrd835l-d.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf
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3+1.27 EUR
10+0.76 EUR
100+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : onsemi mbrd835l-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V
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13+1.36 EUR
21+0.84 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ON Semiconductor mbrd835l-d.pdf Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ONSEMI 2353974.pdf Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ONSEMI 2353974.pdf Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ONSEMI 2353974.pdf Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MBRD835LT4G MBRD835LT4G Hersteller : ON Semiconductor mbrd835l-d.pdf Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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MBRD835LT4G
Produktcode: 191911
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MBRD835LT4G Hersteller : ON Semiconductor mbrd835l-d.pdf Діод Шотткі smd; Io, A = 8; Uзвор, В = 35; Uf (max), В = 0,51; If, А = 8; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35; DPAK-3
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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