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MBRD835LT4G ON Semiconductor

Name: MBRD835LT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 560301-5
Price: 1000.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details MBRD835LT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 75A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 510mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MBRD8, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 35V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

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MBRD835LT4G

Hersteller : onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V

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Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MBRD835LT4G

Hersteller : ONSEMI

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Max. load current: 16A
Kind of package: reel; tape

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Anzahl	Preis
82+	0.87 EUR
108+	0.66 EUR
134+	0.53 EUR
138+	0.52 EUR

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MBRD835LT4G

Hersteller : ONSEMI

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82+	0.87 EUR
108+	0.66 EUR
134+	0.53 EUR
138+	0.52 EUR

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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119+	1.2 EUR
192+	0.72 EUR
194+	0.69 EUR
240+	0.53 EUR

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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113+	1.27 EUR
200+	0.76 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.51 EUR
2500+	0.4 EUR

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MBRD835LT4G

Hersteller : onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V

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14+	1.32 EUR
22+	0.8 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.57 EUR

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MBRD835LT4G

Hersteller : onsemi

Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf

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Anzahl	Preis
3+	1.35 EUR
10+	0.82 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.58 EUR
2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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MBRD835LT4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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MBRD835LT4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 510mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD8
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Rectifier Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MBRD835LT4G
Produktcode: 191911

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MBRD835LT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Діод Шотткі smd; Io, A = 8; Uзвор, В = 35; Uf (max), В = 0,51; If, А = 8; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35; DPAK-3

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