MBRD835LT4G
Produktcode: 191911
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Hersteller:
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Produktrezensionen
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 35V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 35V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.41V Kind of package: reel; tape Max. load current: 16A |
auf Bestellung 2499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Schottky 35V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.4 mA @ 35 V |
auf Bestellung 45071 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf |
auf Bestellung 24790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRD835LT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD835LT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 510 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 510mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD8 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MBRD835LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Діод Шотткі smd, Io, A = 8, Uзвор, В = 35, Uf (max), В = 0,51, If, А = 8, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 1400 @ 35,... Група товару: Діоди Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 628 Stücke: |
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| MBRD835LT4G | Hersteller : On Semiconductor |
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |