MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 3334+ | 0.043 EUR |
| 9000+ | 0.04 EUR |
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Technische Details MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MBT2222ADW1T1G nach Preis ab 0.064 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MBT2222ADW1T1G | ON Semiconductor |
  Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 4198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBT2222ADW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBT2222ADW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBT2222ADW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1068 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBT2222ADW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1068 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MBT2222ADW1T1G | |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 852+ | 0.17 EUR |
| 1365+ | 0.1 EUR |
| 1909+ | 0.073 EUR |
| 2115+ | 0.064 EUR |
| MBT2222ADW1T1G | |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.38 EUR |
| 12+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |
| 3000+ | 0.065 EUR |
| MBT2222ADW1T1G | |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBT2222ADW1T1G | |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MBT2222ADW1T1G | |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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