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MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor

mbt2222adw1t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote MBT2222ADW1T1G nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.33 EUR

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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : onsemi mbt2222adw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : onsemi mbt2222adw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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56+0.32 EUR
93+0.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 56
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : onsemi MBT2222ADW1T1_D-1811023.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
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Anzahl Preis
9+0.33 EUR
15+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.074 EUR
3000+0.055 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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