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MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor

mbt2222adw1t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.

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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : onsemi mbt2222adw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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Mindestbestellmenge: 660
MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : onsemi mbt2222adw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : onsemi MBT2222ADW1T1_D-2315100.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V Dual NPN
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI 1796187.pdf Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI 86126.pdf Description: ONSEMI - MBT2222ADW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 600 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 35hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mbt2222adw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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MBT2222ADW1T1G MBT2222ADW1T1G Hersteller : ONSEMI mbt2222adw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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