MBT3904DW1T1H onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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| 150000+ | 0.097 EUR |
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Technische Details MBT3904DW1T1H onsemi
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1H - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85413000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.
Weitere Produktangebote MBT3904DW1T1H nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MBT3904DW1T1H | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 1190729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBT3904DW1T1H | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1H - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mWtariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA |
auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBT3904DW1T1H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1H - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 150 mW tariffCode: 85413000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA |
auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MBT3904DW1T1H | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN |
auf Bestellung 58999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MBT3904DW1T1H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBT3904DW1T1H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 498342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MBT3904DW1T1H | Hersteller : ON Semiconductor |
DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MBT3904DW1T1H | Hersteller : ON Semiconductor |
DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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