Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MBT6429DW1T1G
MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G ON Semiconductor

mbt6429dw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MBT6429DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA.

Weitere Produktangebote MBT6429DW1T1G nach Preis ab 0.037 EUR bis 85.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ON Semiconductor mbt6429dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G onsemi mbt6429dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ON Semiconductor mbt6429dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 10835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1403+0.12 EUR
1450+0.12 EUR
1799+0.093 EUR
2093+0.079 EUR
3068+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1403 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ON Semiconductor mbt6429dw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 10835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.29 EUR
888+0.19 EUR
968+0.17 EUR
1403+0.11 EUR
1450+0.1 EUR
1799+0.08 EUR
2093+0.065 EUR
3068+0.044 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G onsemi mbt6429dw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN
auf Bestellung 8819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G onsemi mbt6429dw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ONSEMI mbt6429dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
794+0.3 EUR
1265+0.17 EUR
1737+0.12 EUR
1973+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ONSEMI mbt6429dw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.51 EUR
794+0.3 EUR
1265+0.17 EUR
1737+0.12 EUR
1973+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G MBT6429DW1T1G ONSEMI mbt6429dw1t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
Current gain: 500...1250
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 10835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1403+0.12 EUR
1450+0.12 EUR
1799+0.093 EUR
2093+0.079 EUR
3068+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1403 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 10835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
622+0.29 EUR
888+0.19 EUR
968+0.17 EUR
1403+0.11 EUR
1450+0.1 EUR
1799+0.08 EUR
2093+0.065 EUR
3068+0.044 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN
auf Bestellung 8819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.39 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 200MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
486+0.51 EUR
794+0.3 EUR
1265+0.17 EUR
1737+0.12 EUR
1973+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBT6429DW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 700MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.51 EUR
794+0.3 EUR
1265+0.17 EUR
1737+0.12 EUR
1973+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT6429DW1T1G mbt6429dw1t1-d.pdf
MBT6429DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.2A; 0.15W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
Current gain: 500...1250
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH