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Technische Details MCB20P1200LB-TUB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B, Case: SMPD-B, Semiconductor structure: double series, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25.5A, On-state resistance: 98mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 62nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -5...20V, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MCB20P1200LB-TUB
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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MCB20P1200LB-TUB | Hersteller : Littelfuse |
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MCB20P1200LB-TUB | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Case: SMPD-B Semiconductor structure: double series Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 62nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MCB20P1200LB-TUB | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B Case: SMPD-B Semiconductor structure: double series Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25.5A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 62nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Mounting: SMD |
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