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MCB40P1200LB-TRR IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB492E173084520D6&compId=MCB40P1200LB.pdf?ci_sign=d1b644c5158fdbba254d94bc9d04330c91b74571 Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: double series
Anzahl je Verpackung: 200 Stücke
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Technische Details MCB40P1200LB-TRR IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 55A, Case: SMPD-B, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 34mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 161nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: double series, Anzahl je Verpackung: 200 Stücke.

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MCB40P1200LB-TRR Hersteller : IXYS Description: MCB40P1200LB-TRR
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MCB40P1200LB-TRR Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB492E173084520D6&compId=MCB40P1200LB.pdf?ci_sign=d1b644c5158fdbba254d94bc9d04330c91b74571 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 55A; SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 55A
Case: SMPD-B
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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