MCH6660-TL-H (транзистор)
Produktcode: 113237
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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MCH6660-TL-H | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPHPackaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 6-MCPH |
auf Bestellung 1387754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MCH6660-TL-H | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-Pin MCPH T/R |
auf Bestellung 1688948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MCH6660-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCH6660-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 20 V, -20 V, 2 A, -1.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.205ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1387754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MCH6660-TL-H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 6-MCPH |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MCH6660-TL-H | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES |
Produkt ist nicht verfügbar |