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MD1802FX (Bipolartransistor NPN)

MD1802FX (Bipolartransistor NPN)

MD1802FX.pdf
Produktcode: 1278
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Hersteller: ST
Gehäuse: ISOWATT218FX
Uceo,V: 700 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 10 А
h21: 23
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MD1802FX MD1802FX STMicroelectronics MD1802FX_April2007.pdf description Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
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MD1802FX description MD1802FX_April2007.pdf
MD1802FX
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Power Transistor
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L7912CV
Produktcode: 3263
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description L7900 series.pdf
L7912CV
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: -35 V
Ausgangsspannung Uout, V: -12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,7 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: THT
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BZX55-C18
Produktcode: 2473
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BZX55.pdf
BZX55-C18
Hersteller: NXP/YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Stabilisierungsspannung Vz, V: 18 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: 14.4mV/K
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LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF ll4148.pdf %5BLumimax%5DLL4148.pdf 5399_LL4148%20LL-34.PDF LL4148.pdf LL4148.pdf 1801_LL4148_20SERIES_J15.pdf
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-80
Urev., V: 100 V
Iausr., A: 0,2 A
Beschreibung: 4 ns
Montage: SMD
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47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 1443
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EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 592 St.
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  • 198 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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STP24NF10
Produktcode: 1289
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STP24NF10.pdf
STP24NF10
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 26 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 870/30
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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