Technische Details MG800J2YS50A TOS
Description: IGBT MOD 600V 800A 2900W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 800A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 800 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 2900 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93 nF @ 10 V.
Weitere Produktangebote MG800J2YS50A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MG800J2YS50A | Hersteller : TOSHIBA |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MG800J2YS50A | Hersteller : TOSHIBA |
800A/600V/IGBT/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MG800J2YS50A | Hersteller : TOS MODULE |
800A500V2U |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MG800J2YS50A | Hersteller : Powerex Inc. |
Description: IGBT MOD 600V 800A 2900W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 800A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 2900 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93 nF @ 10 V |
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