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MGSF1N03LT1G

MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

mgsf1n03lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MGSF1N03LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 730mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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189+0.93 EUR
284+0.6 EUR
287+0.57 EUR
417+0.38 EUR
422+0.36 EUR
532+0.27 EUR
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G onsemi MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
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4+1.04 EUR
10+0.7 EUR
100+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.74 EUR
230+1.01 EUR
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MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G ONSEMI 2353887.pdf Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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MGSF1N03LT1G Aptina Imaging mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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532+0.32 EUR
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MGSF1N03LT1G ON mgsf1n03lt1-d.pdf 10+ROHS SOT-23
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MGSF1N03LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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MGSF1N03LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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MGSF1N03LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
189+0.93 EUR
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287+0.57 EUR
417+0.38 EUR
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MGSF1N03LT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V 2.1A N-Channel
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AnzahlPrivatkunde
4+1.04 EUR
10+0.7 EUR
100+0.48 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
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MGSF1N03LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
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MGSF1N03LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.74 EUR
230+1.01 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
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MGSF1N03LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
144+1.74 EUR
230+1.01 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
12000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 282000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MGSF1N03LT1G mgsf1n03lt1-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
15000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
417+0.42 EUR
532+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON
10+ROHS SOT-23
auf Bestellung 90003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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