MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MGSF2N02ELT1G nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm |
auf Bestellung 29712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V |
auf Bestellung 26055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ONSEMI |
MGSF2N02ELT1G SMD N channel transistors |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
MGSF2N02ELT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |