MJ11015G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Mounting: THT
Case: TO3
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: in-tray
Kind of transistor: Darlington
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details MJ11015G ONSEMI
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote MJ11015G nach Preis ab 8.04 EUR bis 20.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MJ11015G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Mounting: THT Case: TO3 Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Type of transistor: PNP Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJ11015G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJ11015G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP |
auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 246-260 Tag (e) |
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MJ11015G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX DC-Kollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Verlustleistung Pd: 200W Betriebstemperatur, max.: 200°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11015G Produktcode: 36727 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJ11015G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJ11015G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11015G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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