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MJ11015G

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Produktcode: 36727
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details MJ11015G

  • DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
  • No. of Pins:2
  • Av Current Ic:30A
  • Case Style:TO-3
  • Current Ic hFE:20A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:30A
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Max Voltage Vce Sat:-3V
  • Min Gain Bandwidth ft:4MHz
  • Min Hfe:1000
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:200W
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:Bipolar Darlington
  • Voltage Vcbo:120V

Weitere Produktangebote MJ11015G nach Preis ab 8.19 EUR bis 18.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJ11015G MJ11015G ONSEMI MJ11015.PDF description Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.53 EUR
10+8.64 EUR
11+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJ11015G MJ11015G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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MJ11015G MJ11015G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.7 EUR
25+9.96 EUR
100+9.1 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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MJ11015G MJ11015G onsemi mj11012-d.pdf description Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.37 EUR
10+11 EUR
100+9.07 EUR
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MJ11015G MJ11015G onsemi mj11012-d.pdf description Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.33 EUR
10+12.6 EUR
100+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJ11015G MJ11015G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJ11015G description MJ11015.PDF
MJ11015G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Trans Darlington PNP 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 407 Stücke:
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MJ11015G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
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MJ11015G description ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11015G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11015G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
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DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 352 Stücke:
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