MJ11016G ON Semiconductor
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Technische Details MJ11016G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-3, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJ11016G nach Preis ab 4.59 EUR bis 20.69 EUR
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MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11016G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN |
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MJ11016G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJ11016G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11016G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
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MJ11016G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| MJ11016G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016 Anzahl je Verpackung: 3 Stücke |
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| MJ11016G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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MJ11016G Produktcode: 173223
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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