MJ11016G
Produktcode: 173223
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Technische Details MJ11016G
- DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
- No. of Pins:2
- SVHC:No SVHC
- Alternate Case Style:TO-204AA
- Av Current Ic:30A
- Case Style:TO-3
- Current Ic hFE:20A
- Device Marking:MJ11016
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:30A
- Max Current Ic Continuous a:30A
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Min Gain Bandwidth ft:4MHz
- Min Hfe:1000
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:200W
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Bipolar Darlington
- Voltage Vcbo:120V
Weitere Produktangebote MJ11016G nach Preis ab 4.6 EUR bis 21.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MJ11016G | ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ11016G | onsemi |
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ11016G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ11016G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| MJ11016G | ON-Semiconductor |
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016Anzahl je Verpackung: 3 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJ11016G | ON-Semiconductor |
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJ11016G | ![]() |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 6.54 EUR |
| 12+ | 6.22 EUR |
| 13+ | 5.59 EUR |
| 15+ | 5 EUR |
| 20+ | 4.6 EUR |
| MJ11016G | ![]() |
![]() |
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.77 EUR |
| 10+ | 6.21 EUR |
| 100+ | 4.7 EUR |
| MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.72 EUR |
| 10+ | 7.24 EUR |
| 100+ | 5.28 EUR |
| MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MJ11016G | ![]() |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 21.75 EUR |
| MJ11016G | ![]() |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 21.75 EUR |




