MJ11016G
Produktcode: 173223
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJ11016G
- DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
- No. of Pins:2
- SVHC:No SVHC
- Alternate Case Style:TO-204AA
- Av Current Ic:30A
- Case Style:TO-3
- Current Ic hFE:20A
- Device Marking:MJ11016
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:30A
- Max Current Ic Continuous a:30A
- Max Power Dissipation Ptot:200W
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Min Gain Bandwidth ft:4MHz
- Min Hfe:1000
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:200W
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Bipolar Darlington
- Voltage Vcbo:120V
Weitere Produktangebote MJ11016G nach Preis ab 4.7 EUR bis 21.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ11016G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 200 W |
auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
| MJ11016G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016 Anzahl je Verpackung: 3 Stücke |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
| MJ11016G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
MJ11016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| MJ11016G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN, TO-3, Uceo=120V, Ic=30A, hFE=1000, Pb-Free, -55...+200 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
 |
MJ11016G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
Produkt ist nicht verfügbar |