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MJ11016G

mj11012-d.pdf
Produktcode: 173223
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details MJ11016G

  • DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:120V
  • No. of Pins:2
  • SVHC:No SVHC
  • Alternate Case Style:TO-204AA
  • Av Current Ic:30A
  • Case Style:TO-3
  • Current Ic hFE:20A
  • Device Marking:MJ11016
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:30A
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Power Dissipation Ptot:200W
  • Max Voltage Vce Sat:3V
  • Min Gain Bandwidth ft:4MHz
  • Min Hfe:1000
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:200W
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:Bipolar Darlington
  • Voltage Vcbo:120V

Weitere Produktangebote MJ11016G nach Preis ab 5.47 EUR bis 25.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJ11016G MJ11016G ONSEMI MJ11015.PDF description Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.08 EUR
12+7.18 EUR
14+6.33 EUR
20+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MJ11016G MJ11016G ON Semiconductor mj11012-d.pdf description Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G MJ11016G onsemi mj11012-d.pdf description Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 3484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.83 EUR
10+9.37 EUR
100+6.84 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJ11016G MJ11016G ONSEMI ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
25+9.33 EUR
100+6.69 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G MJ11016G onsemi mj11012-d.pdf description Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 2013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.55 EUR
10+8.19 EUR
100+6.72 EUR
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MJ11016G ON-Semiconductor mj11012-d.pdf description Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G ON-Semiconductor mj11012-d.pdf description Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MJ11016G description MJ11015.PDF
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 200W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+8.08 EUR
12+7.18 EUR
14+6.33 EUR
20+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 120V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 3484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.83 EUR
10+9.37 EUR
100+6.84 EUR
500+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJ11016G description ONSM-S-A0013579498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJ11016G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ11016G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
auf Bestellung 1127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.42 EUR
25+9.33 EUR
100+6.69 EUR
500+5.81 EUR
1000+5.7 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012-d.pdf
MJ11016G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 30A 120V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 2013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.55 EUR
10+8.19 EUR
100+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJ11016G description mj11012-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI; MJ11016 ONS TMJ11016
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+25.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH