MJ15016G

MJ15016G ON Semiconductor


2n3055a-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Technische Details MJ15016G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 18MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJ15016G MJ15016G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055a-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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MJ15016G MJ15016G Hersteller : onsemi 2N3055A_D-1801670.pdf Bipolar Transistors - BJT 15A 120V 180W PNP
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MJ15016G MJ15016G Hersteller : onsemi 2n3055a-d.pdf Description: TRANS PNP 120V 15A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 18MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 115 W
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MJ15016G MJ15016G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013777028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 18MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MJ15016G MJ15016G Hersteller : ON Semiconductor 2n3055a-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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