MJ15016G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 18+ | 8.02 EUR |
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Technische Details MJ15016G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 18MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJ15016G nach Preis ab 5.83 EUR bis 11.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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MJ15016G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ15016G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 15A 120V 180W PNP |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ15016G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 120V 15A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 18MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 115 W |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJ15016G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ15016G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 15 A, 180 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 18MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ15016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJ15016G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 15A 115000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJ15016G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 15A; 115W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 115W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Collector current: 15A Collector-emitter voltage: 120V |
Produkt ist nicht verfügbar |