MJ21196G

MJ21196G ON Semiconductor


mj21195-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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Technische Details MJ21196G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 250V 16A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 250 W.

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MJ21196G MJ21196G Hersteller : onsemi MJ21195_D-2315844.pdf Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 250W NPN
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MJ21196G MJ21196G Hersteller : onsemi mj21195-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 250 W
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MJ21196G Hersteller : ONSEMI ONSMS36330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJ21196G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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MJ21196G MJ21196G Hersteller : ON Semiconductor mj21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
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