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Technische Details MJ802G onsemi
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204, Packaging: Tray, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V, Power - Max: 200 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJ802G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 90V 30A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 200 W |
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MJ802G Produktcode: 117194 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJ802G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ802G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ802G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ802G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ802G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ802G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
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MJ802G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 90V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Current gain: 25...100 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJ802G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 90V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Current gain: 25...100 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2MHz |
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