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MJB41CT4G

MJB41CT4G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details MJB41CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 65W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJB41CT4G MJB41CT4G ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB41CT4G MJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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MJB41CT4G MJB41CT4G onsemi MJB41C_D-1811453.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
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1+3.36 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
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MJB41CT4G MJB41CT4G onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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MJB41CT4G MJB41CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013299594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1573 Stücke:
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57+4.45 EUR
85+2.74 EUR
102+2.12 EUR
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250+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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MJB41CT4G
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Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
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Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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MJB41CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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85+2.74 EUR
102+2.12 EUR
126+1.71 EUR
250+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH