Produkte > ONSEMI > MJB41CT4G
MJB41CT4G

MJB41CT4G onsemi


mjb41c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.18 EUR
1600+ 0.96 EUR
2400+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJB41CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q100, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 65W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote MJB41CT4G nach Preis ab 0.94 EUR bis 2.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MJB41CT4G MJB41CT4G Hersteller : onsemi MJB41C_D-2315688.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 441-445 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.18 EUR
10+ 1.78 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.18 EUR
800+ 0.96 EUR
2400+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
MJB41CT4G MJB41CT4G Hersteller : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 4722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+2.18 EUR
10+ 1.78 EUR
100+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9
MJB41CT4G MJB41CT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q100, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB41CT4G MJB41CT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q100, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 65W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB41CT4G MJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41CT4G MJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB41CT4G MJB41CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar