MJB41CT4G ON Semiconductor
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Technische Details MJB41CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 65W, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJB41CT4G nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MJB41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB41CT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB41CT4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W NPN |
auf Bestellung 5369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB41CT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 6030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB41CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 65W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB41CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB41CT4G - Bipolares Transistor-Array, NPN, 100 V, 6 A, 65 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 15hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 3MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: -W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 65W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 6A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJB41CT4G | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJB41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJB41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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