MJB42CT4G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 0.83 EUR |
| 1600+ | 0.76 EUR |
| 2400+ | 0.72 EUR |
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Technische Details MJB42CT4G onsemi
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJB42CT4G nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MJB42CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB42CT4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP |
auf Bestellung 805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB42CT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 3578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB42CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB42CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB42CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJB42CT4G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MJB42CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJB42CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJB42CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MJB42CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 65W; D2PAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 65W Case: D2PAK Current gain: 15...75 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |