Produkte > ONSEMI > MJB42CT4G
MJB42CT4G

MJB42CT4G onsemi


mjb41c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJB42CT4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 700µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: D²PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.

Weitere Produktangebote MJB42CT4G nach Preis ab 1.08 EUR bis 2.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MJB42CT4G MJB42CT4G Hersteller : onsemi MJB41C_D-2315688.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 65W PNP
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.3 EUR
27+ 1.97 EUR
100+ 1.63 EUR
500+ 1.35 EUR
800+ 1.19 EUR
2400+ 1.16 EUR
4800+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 23
MJB42CT4G MJB42CT4G Hersteller : onsemi mjb41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.7 EUR
12+ 2.21 EUR
100+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
MJB42CT4G MJB42CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB42CT4G MJB42CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJB42CT4G Hersteller : ON mjb41c-d.pdf
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB42CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MJB42CT4G MJB42CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MJB42CT4G MJB42CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjb41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar