
MJB44H11G onsemi

Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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6+ | 3.08 EUR |
50+ | 1.48 EUR |
100+ | 1.33 EUR |
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Technische Details MJB44H11G onsemi
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJB44H11G nach Preis ab 0.81 EUR bis 3.1 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MJB44H11G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 2119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : ON-Semicoductor |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJB44H11T4 Transistor Produktcode: 58814
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJB44H11G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK Polarisation: bipolar Case: D2PAK Type of transistor: NPN Mounting: SMD Power dissipation: 50W Collector current: 10A Current gain: 60 Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: tube |
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