MJB44H11G ON Semiconductor
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Technische Details MJB44H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJB44H11G nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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MJB44H11G | Hersteller : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN |
auf Bestellung 9868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 7791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB44H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJB44H11G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJB44H11T4 Transistor Produktcode: 58814
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
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MJB44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail |
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| MJB44H11G | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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