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MJB44H11T4 Transistor

Produktcode: 58814
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MJB44H11G MJB44H11G onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
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MJB44H11G MJB44H11G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 324 Stücke:
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MJB44H11G ON-Semiconductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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MJB44H11G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
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MJB44H11G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
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Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
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Power - Max: 2 W
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MJB44H11G mjb44h11-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
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Hersteller: ON-Semiconductor
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