MJB45H11G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 3.38 EUR |
50+ | 2.71 EUR |
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Technische Details MJB45H11G onsemi
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJB45H11G nach Preis ab 1.34 EUR bis 3.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJB45H11G | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP |
auf Bestellung 3216 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJB45H11G |
auf Bestellung 4099 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJB45H11G Produktcode: 105006 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |