MJB45H11G ON Semiconductor
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Technische Details MJB45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJB45H11G nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJB45H11G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
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MJB45H11G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP |
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MJB45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJB45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| MJB45H11G |
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MJB45H11G Produktcode: 105006
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Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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MJB45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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| MJB45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK Mounting: SMD Collector current: 10A Kind of package: tube Current gain: 60 Type of transistor: PNP Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Power dissipation: 50W |
Produkt ist nicht verfügbar |