Produkte > ONSEMI > MJB45H11T4G
MJB45H11T4G

MJB45H11T4G onsemi

mjb44h11-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
800+0.91 EUR
1600+0.84 EUR
2400+0.8 EUR
4000+0.76 EUR
5600+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJB45H11T4G onsemi

Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Weitere Produktangebote MJB45H11T4G nach Preis ab 0.85 EUR bis 2.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MJB45H11T4G MJB45H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
auf Bestellung 2013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.72 EUR
100+1.28 EUR
500+0.92 EUR
800+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4G MJB45H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.83 EUR
10+1.81 EUR
100+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4G ONN mjb44h11-d.pdf
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB45H11T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
auf Bestellung 2013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.57 EUR
10+1.72 EUR
100+1.28 EUR
500+0.92 EUR
800+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB45H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.83 EUR
10+1.81 EUR
100+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB45H11T4G mjb44h11-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH