Technische Details MJD112-1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD112-1G nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MJD112-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 26950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 150169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 37433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 15444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 43200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Power dissipation: 1.75W Case: IPAK Mounting: THT Current gain: 100...12000 |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD112-1G | onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 3845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD112-1G | onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD112-1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MJD112-1G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 217+ | 0.81 EUR |
| 222+ | 0.76 EUR |
| 525+ | 0.68 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 26950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 636+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 10000+ | 0.82 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 150169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 636+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 10000+ | 0.82 EUR |
| 100000+ | 0.68 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 37433 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 636+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 10000+ | 0.82 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 636+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 10000+ | 0.82 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 161+ | 1.09 EUR |
| 300+ | 0.94 EUR |
| 1050+ | 0.8 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: IPAK
Mounting: THT
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 1.59 EUR |
| 69+ | 1.24 EUR |
| 80+ | 1.07 EUR |
| 95+ | 0.9 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 2.17 EUR |
| 263+ | 0.65 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 3845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.84 EUR |
| 75+ | 1.26 EUR |
| 150+ | 1.13 EUR |
| 525+ | 0.94 EUR |
| 1050+ | 0.86 EUR |
| 2025+ | 0.8 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 1.29 EUR |
| MJD112-1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJD112-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)





