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MJD112G

MJD112G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 718 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
263+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 263 Stücke
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Technische Details MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MJD112G nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.76 EUR
297+0.57 EUR
525+0.49 EUR
1050+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.79 EUR
525+0.42 EUR
2550+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+0.81 EUR
150+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.17 EUR
263+0.63 EUR
328+0.49 EUR
525+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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MJD112G MJD112G ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
92+0.93 EUR
121+0.7 EUR
178+0.48 EUR
215+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MJD112G MJD112G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 1801 Stücke:
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2+1.69 EUR
10+0.8 EUR
75+0.71 EUR
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MJD112G MJD112G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1945 Stücke:
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100+1.73 EUR
223+0.74 EUR
293+0.55 EUR
525+0.46 EUR
1050+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJD112G MJD112G ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
259+0.89 EUR
293+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
auf Bestellung 2429 Stücke:
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MJD112G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1943 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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263+0.63 EUR
328+0.49 EUR
525+0.42 EUR
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MJD112G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
auf Bestellung 232 Stücke:
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72+1.19 EUR
92+0.93 EUR
121+0.7 EUR
178+0.48 EUR
215+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MJD112G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
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AnzahlPrivatkunde
2+1.69 EUR
10+0.8 EUR
75+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD112G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.73 EUR
223+0.74 EUR
293+0.55 EUR
525+0.46 EUR
1050+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJD112G ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD112G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
259+0.89 EUR
293+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD112G mjd112-d.pdf
NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH