MJD112G

MJD112G ON Semiconductor


mjd112-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Technische Details MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MJD112G MJD112G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD112G MJD112G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD112G MJD112G Hersteller : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 767 Stücke:
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11+1.60 EUR
75+0.69 EUR
150+0.61 EUR
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MJD112G MJD112G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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105+1.36 EUR
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525+0.40 EUR
1050+0.37 EUR
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MJD112G MJD112G Hersteller : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
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10+1.43 EUR
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75+0.51 EUR
525+0.46 EUR
4950+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD112G MJD112G Hersteller : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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35+2.04 EUR
47+1.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 35
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MJD112G MJD112G Hersteller : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: DPAK
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MJD112G MJD112G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8933 Stücke:
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MJD112G MJD112G mjd112-d.pdf NPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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MJD112G MJD112G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
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MJD112G MJD112G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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