MJD117-1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1362+ | 0.41 EUR |
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Technische Details MJD117-1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MJD117-1G nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MJD117-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube |
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MJD117-1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD117-1G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP |
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MJD117-1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| MJD117-1G | Hersteller : ON |
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| MJD117-1G | Hersteller : ON |
09+ TQFP |
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| MJD117-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD117-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube |
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MJD117-1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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