MJD117-1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 447+ | 0.56 EUR |
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Technische Details MJD117-1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MJD117-1G nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MJD117-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 80391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD117-1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 48038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD117-1G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 128429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD117-1G | onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP |
auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD117-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 80391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1198+ | 0.56 EUR |
| 10000+ | 0.49 EUR |
| MJD117-1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 48038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1198+ | 0.56 EUR |
| 10000+ | 0.49 EUR |
| MJD117-1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 128429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 795+ | 0.69 EUR |
| MJD117-1G |
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.57 EUR |
| 75+ | 1.23 EUR |
| 525+ | 0.95 EUR |
| 1050+ | 0.69 EUR |
| 2400+ | 0.67 EUR |
| 4800+ | 0.64 EUR |