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MJD117-1G

MJD117-1G onsemi

mjd112-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Technische Details MJD117-1G onsemi

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 25, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD117-1G MJD117-1G Hersteller : onsemi MJD112_D-1773628.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
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MJD117-1G MJD117-1G Hersteller : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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MJD117-1G Hersteller : ON mjd112-d.pdf
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MJD117-1G Hersteller : ON mjd112-d.pdf 09+ TQFP
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MJD117-1G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf
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MJD117-1G MJD117-1G Hersteller : ON Semiconductor 2477mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
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MJD117-1G MJD117-1G Hersteller : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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