MJD117G ON Semiconductor
auf Bestellung 1125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 212+ | 0.70 EUR |
| 525+ | 0.58 EUR |
| 1050+ | 0.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJD117G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJD117G nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD117G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD117G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 2091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD117G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 2099 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD117G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP |
auf Bestellung 1607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD117G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 22457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD117G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 2309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
MJD117G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
MJD117G Produktcode: 79758
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-252 U, V: 100 U, V: 100 I, А: 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|