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MJD117G

MJD117G onsemi


MJD112_D-2315625.pdf Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
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Technische Details MJD117G onsemi

Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD117G MJD117G Hersteller : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD117G MJD117G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD117G MJD117G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD117G MJD117G Hersteller : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2203 Stücke:
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MJD117G MJD117G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 119 Stücke:
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MJD117G MJD117G
Produktcode: 79758
Hersteller : ON datasheet-mgd117g.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-252
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 2
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MJD117G MJD117G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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