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MJD117G

MJD117G ON

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Produktcode: 79758
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Hersteller: ON
Gehäuse: TO-252
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 2 A
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.96 EUR
186+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
191+0.9 EUR
195+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.39 EUR
184+0.93 EUR
187+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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MJD117G MJD117G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJD117G MJD117G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 1785 Stücke:
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2+2.51 EUR
10+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD117G MJD117G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2767 Stücke:
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MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD117G MJD117G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Hersteller: ON Semiconductor
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Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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