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MJD127T4G

MJD127T4G ON Semiconductor

mjd122-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
249+0.7 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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Technische Details MJD127T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MJD127T4G nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.12 EUR
208+0.83 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.54 EUR
74+1.17 EUR
87+0.99 EUR
103+0.83 EUR
128+0.67 EUR
147+0.58 EUR
200+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.99 EUR
157+1.08 EUR
208+0.79 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.01 EUR
100+1.95 EUR
250+1.9 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
87+1.89 EUR
100+1.81 EUR
250+1.73 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 8966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJD127T4G HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJD127T4G HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJD127T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJD127T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.12 EUR
208+0.83 EUR
500+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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MJD127T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+1.54 EUR
74+1.17 EUR
87+0.99 EUR
103+0.83 EUR
128+0.67 EUR
147+0.58 EUR
200+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+1.99 EUR
157+1.08 EUR
208+0.79 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.01 EUR
100+1.95 EUR
250+1.9 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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MJD127T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.05 EUR
87+1.89 EUR
100+1.81 EUR
250+1.73 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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MJD127T4G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 8966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.23 EUR
10+1.32 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD127T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G 1744688.pdf
MJD127T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G 1744688.pdf
MJD127T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH