MJD127T4G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD127T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.6 EUR
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MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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170+1.05 EUR
229+0.76 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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102+1.75 EUR
170+1.01 EUR
229+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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88+2.05 EUR
90+1.96 EUR
100+1.87 EUR
250+1.77 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
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85+2.09 EUR
88+1.98 EUR
90+1.84 EUR
100+1.73 EUR
250+1.61 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
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2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
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MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 9053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI mjd122-d.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
125+1.87 EUR
189+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI mjd122-d.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.12 EUR
125+1.87 EUR
189+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
auf Bestellung 2489 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G*************
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
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2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 67500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6140 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.71 EUR
3000+0.65 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
170+1.05 EUR
229+0.76 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G mjd122d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
102+1.75 EUR
170+1.01 EUR
229+0.73 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.46 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G mjd122d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.05 EUR
90+1.96 EUR
100+1.87 EUR
250+1.77 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G mjd122d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.09 EUR
88+1.98 EUR
90+1.84 EUR
100+1.73 EUR
250+1.61 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
auf Bestellung 11550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 9053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.12 EUR
125+1.87 EUR
189+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.12 EUR
125+1.87 EUR
189+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD127T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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