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MJD127T4G

MJD127T4G ON Semiconductor

mjd122-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD127T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0520C1819EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mjd122.pdf?ci_sign=abc8f7df8a22d98530bc7c29b133599ab049298c Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2075 Stücke:
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Anzahl Preis
55+1.32 EUR
82+0.88 EUR
152+0.47 EUR
161+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 55
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0520C1819EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mjd122.pdf?ci_sign=abc8f7df8a22d98530bc7c29b133599ab049298c Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
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Mindestbestellmenge: 2
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJD127T4G Hersteller : HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJD127T4G Hersteller : ONS mjd122-d.pdf Биполярный транзистор PNP DARL 100V 8A DPak
auf Bestellung 10 Stücke:
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1+4.22 EUR
10+3.71 EUR
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MJD127T4G*************
auf Bestellung 17500 Stücke:
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MJD127T4G MJD127T4G Hersteller : ON Semiconductor 431036721814380mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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