MJD210G

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Produktcode: 62981
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD210G MJD210G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 16280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
75+0.6 EUR
150+0.54 EUR
525+0.45 EUR
1050+0.41 EUR
2025+0.38 EUR
5025+0.34 EUR
10050+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD210G MJD210G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.5 EUR
10+0.64 EUR
75+0.57 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.47 EUR
2700+0.38 EUR
5400+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD210G mjd200-d.pdf
MJD210G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 16280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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75+0.6 EUR
150+0.54 EUR
525+0.45 EUR
1050+0.41 EUR
2025+0.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 15
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Hersteller: onsemi
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auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.5 EUR
10+0.64 EUR
75+0.57 EUR
525+0.53 EUR
1050+0.47 EUR
2700+0.38 EUR
5400+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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