MJD210G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 45...180
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 65MHz
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 66+ | 1.09 EUR |
| 117+ | 0.62 EUR |
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| 189+ | 0.37 EUR |
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Technische Details MJD210G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJD210G nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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MJD210G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 5A Power dissipation: 12.5W Case: DPAK Current gain: 45...180 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 65MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD210G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
auf Bestellung 16280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD210G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP |
auf Bestellung 858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD210G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD210G Produktcode: 62981
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJD210G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |