MJD253-1G


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Produktcode: 133001
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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MJD253-1G MJD253-1G onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.05 EUR
10+0.89 EUR
75+0.69 EUR
1050+0.54 EUR
2550+0.37 EUR
11550+0.33 EUR
26400+0.31 EUR
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MJD253-1G MJD253-1G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
75+0.77 EUR
150+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD253-1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
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Anzahl Preis
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MJD253-1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
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