auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.05 EUR |
| 10+ | 0.89 EUR |
| 75+ | 0.69 EUR |
| 1050+ | 0.54 EUR |
| 2550+ | 0.37 EUR |
| 11550+ | 0.33 EUR |
| 26400+ | 0.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJD253-1G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: IPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.
Weitere Produktangebote MJD253-1G nach Preis ab 0.68 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD253-1G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PNP 100V 4A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
MJD253-1G Produktcode: 133001
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||
 |
MJD253-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |