MJD253-1G
Produktcode: 133001
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Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MJD253-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD253-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD253-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD253-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 4250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD253-1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP |
auf Bestellung 1068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD253-1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MJD253-1G | Hersteller : On Semiconductor |
PNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, IPAK (длинные выв.) (компл. MJD243-1) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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