MJD253-1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
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Technische Details MJD253-1G onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: I-PAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.
Weitere Produktangebote MJD253-1G nach Preis ab 0.46 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD253-1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP |
auf Bestellung 1068 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MJD253-1G Produktcode: 133001 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
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MJD253-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |