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MJD253-1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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MJD253-1G MJD253-1G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4250 Stücke:
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MJD253-1G MJD253-1G onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
auf Bestellung 1068 Stücke:
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3+1.25 EUR
10+1.06 EUR
75+0.82 EUR
1050+0.64 EUR
2550+0.44 EUR
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MJD253-1G MJD253-1G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
auf Bestellung 207 Stücke:
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10+2.2 EUR
75+0.95 EUR
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Description: TRANS PNP 100V 4A IPAK
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Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
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