MJD3055T4 STMicroelectronics
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Technische Details MJD3055T4 STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 20 W.
Weitere Produktangebote MJD3055T4 nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W |
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 20 W |
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| MJD3055T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
MJD3055T4 NPN SMD transistors |
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