MJD3055T4G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 24067
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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MJD3055T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD3055T4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN |
auf Bestellung 1549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD3055T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD3055T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD3055T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD3055T4G************* |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MJD3055T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD3055T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD3055T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
Produkt ist nicht verfügbar |