Produkte > DIODES ZETEX > MJD31C-13
MJD31C-13

MJD31C-13 Diodes Zetex

450100156535137ds31625.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
7500+0.23 EUR
12500+0.21 EUR
17500+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD31C-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MJD31C-13 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
7500+0.22 EUR
12500+0.2 EUR
17500+0.18 EUR
25000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.24 EUR
12500+0.22 EUR
17500+0.21 EUR
25000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 7720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 14864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.27 EUR
5000+0.24 EUR
7500+0.22 EUR
12500+0.2 EUR
17500+0.18 EUR
25000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.24 EUR
12500+0.22 EUR
17500+0.21 EUR
25000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 7720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+1.2 EUR
10+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 14864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
15+1.2 EUR
24+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH