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MJD31C-13

MJD31C-13 Diodes Zetex

450100156535137ds31625.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
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5000+0.13 EUR
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Technische Details MJD31C-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 4350 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
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10+0.78 EUR
100+0.44 EUR
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2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 5296 Stücke:
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100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 790 Stücke:
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 790 Stücke:
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : Diodes Inc 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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MJD31C-13 MJD31C-13 Hersteller : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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MJD31C-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJD31C-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
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