MJD31CG ON Semiconductor
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Technische Details MJD31CG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJD31CG nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MJD31CG | Hersteller : ONSEMI |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD31CG | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CG | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN |
auf Bestellung 4506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 3705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 6374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31CG Produktcode: 117657
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MJD31CG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
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