Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MJD31CT4G

MJD31CT4G ON Semiconductor

Name: MJD31CT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 39654635-5
Price: 675.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.27 EUR
5000+	0.24 EUR
7500+	0.23 EUR
12500+	0.22 EUR
17500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD31CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MJD31CT4G nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.36 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.27 EUR
5000+	0.24 EUR
7500+	0.23 EUR
12500+	0.22 EUR
17500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.28 EUR
5000+	0.25 EUR
7500+	0.23 EUR
12500+	0.22 EUR
17500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.28 EUR
5000+	0.27 EUR
7500+	0.25 EUR
10000+	0.24 EUR
25000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.28 EUR
5000+	0.25 EUR
7500+	0.23 EUR
12500+	0.22 EUR
17500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1739 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
459+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 459

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2500+	0.33 EUR
5000+	0.3 EUR
7500+	0.29 EUR
12500+	0.28 EUR
17500+	0.27 EUR
25000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 14962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3+	1.21 EUR
10+	0.7 EUR
100+	0.5 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.35 EUR
2500+	0.3 EUR
5000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 32255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
13+	1.36 EUR
21+	0.84 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

auf Bestellung 2528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 147500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ON-Semicoductor

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
50+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH