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MJD31CT4G ON Semiconductor

Name: MJD31CT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 229879-5
Price: 700.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 87500 Stücke:

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Technische Details MJD31CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote MJD31CT4G nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.42 EUR

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MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 87500 Stücke:

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MJD31CT4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

auf Bestellung 55000 Stücke:

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2500+	0.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500

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MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

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Anzahl	Preis
266+	0.54 EUR
1000+	0.42 EUR
2500+	0.34 EUR
5000+	0.3 EUR
7500+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 266

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MJD31CT4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W

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13+	1.41 EUR
21+	0.87 EUR
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500+	0.44 EUR
1000+	0.39 EUR

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MJD31CT4G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN

auf Bestellung 426 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	1.42 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.33 EUR
5000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6978 Stücke:

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MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6978 Stücke:

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MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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MJD31CT4G

Hersteller : ON-Semiconductor

Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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Anzahl	Preis
50+	0.74 EUR

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MJD31CT4G

Hersteller : ON-Semiconductor

auf Bestellung 1440 Stücke:

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Anzahl	Preis
50+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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MJD31CT4G

Hersteller : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz

auf Bestellung 1159 Stücke:

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85+	0.84 EUR
123+	0.58 EUR
168+	0.43 EUR
192+	0.37 EUR
500+	0.28 EUR

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MJD31CT4G

Hersteller : On Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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MJD31CT4G

Hersteller : ON Semiconductor

Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 A, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

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